中国共产党党员、中国工程院院士、我国著名半导体材料学家、中国科学院半导体研究所研究员梁骏吾同志，因病医治无效，于2022年6月23日17时在北京逝世，享年89岁。

    梁骏吾院士逝世后，党和国家领导人分别以不同方式表示深切哀悼，并向其家属表示慰问。中国工程院党组书记、院长李晓红院士发唁电表示深切悼念，对家属表示慰问。

    梁骏吾院士是我国著名半导体材料学家，为我国半导体材料领域的学科建设、技术创新、产业振兴以及人才培养作出了重要贡献。60多年来，梁骏吾院士在半导体材料科学领域辛勤耕耘，突破了高纯区熔硅关键技术，解决了室温激光器用GaAs液相外延材料、大规模集成电路用的优质硅区熔单晶、掺氮中子嬗变硅单晶、MOCVD生长超晶格量子阱材料等一系列重要科研难题。他主持了“七五”、“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。

    卓著功勋名不闻，甘为孺子育英才。梁骏吾院士热爱祖国，敬业奉献，治学严谨，谦虚谨慎，品德高尚，具有崇高的科学精神和人格魅力，是我们学习的楷模。

    梁骏吾院士的逝世，是中国工程科技界和中国工程院的重大损失。

    梁骏吾院士千古！

中国工程院

2022年6月29日